產(chǎn)品名稱：二手JEOL 場發(fā)射電鏡 SEM+EDX+EBSD
產(chǎn)品型號：
更新時間：2026-04-01
產(chǎn)品特點：二手JEOL 場發(fā)射電鏡 SEM+EDX+EBSD的主要特點有：應(yīng)用了浸沒式肖特基電子槍技術(shù)的電學系統(tǒng)；利用GB（Gentle Beam 模式）和各種檢測器在低加速電壓下能高分辨觀察和選擇信號的TTLS系統(tǒng)（Through-The-Lens System）；電疊加的混合式物鏡。
產(chǎn)品詳細資料：
二手JEOL 場發(fā)射電鏡 SEM+EDX+EBSD技術(shù)參數(shù)
JSM-7200F JSM-7200FLV
| 分辨率 | 1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV) | 1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV)，1.8nm (30kV, LV ) |
| 放大倍率 | ×10～×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960pixels display); | |
| 加速電壓 | 0.01kV～30kV | |
| 束流 | 1pA～300nA | |
| 自動光闌角控制透鏡ACL | 內(nèi)置 | |
| 大景深模式 | 內(nèi)置 | |
| 檢測器 | 高位檢測器(UED)、低位檢測器(LED) | |
| 樣品臺 | 5軸馬達驅(qū)動樣品臺 | |
| 樣品移動范圍 | X：70mm Y：50mm Z：2mm～41mm 傾斜－5～＋70° 旋轉(zhuǎn)360° | |
| 低真空范圍 | - | 10pa～300pa |
一、核心技術(shù)與優(yōu)勢
浸沒式肖特基熱場發(fā)射電子槍
源自旗艦機型 JSM-7800F Prime 的技術(shù)，提供高亮度、高穩(wěn)定的電子源。
探針電流可達 300 nA，兼顧高分辨成像與能譜（EDS）元素分析的需求。
混合式物鏡（電磁場疊加型）
結(jié)合磁透鏡與靜電透鏡，球差更小，顯著提升分辨率。
保留傳統(tǒng) out-lens 設(shè)計的大工作距離與易用性，可直接觀察磁性材料。
TTLS 鏡內(nèi)信號系統(tǒng) + GB 柔和束模式
TTLS (Through-The-Lens System)：通過鏡內(nèi)探測器高效采集低電壓下的弱信號。
GB (Gentle Beam) 模式：對樣品施加偏壓，實現(xiàn)低加速電壓、高分辨率成像，有效減輕樣品荷電與損傷。
支持二次電子 (SE) 與背散射電子 (BSE) 信號同時分離采集。
二、關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)
電子槍：肖特基熱場發(fā)射（浸沒式）
加速電壓：0.1 V – 30 kV（連續(xù)可調(diào)）
空間分辨率
高電壓（15 kV）：0.8 nm
低電壓（1 kV）：1.3 nm
束流：300 nA
樣品臺：5 軸全自動 / 半自動（X/Y/Z/ 傾轉(zhuǎn) / 旋轉(zhuǎn)）
標準探測器
高位二次電子探測器 (USD)
鏡內(nèi)二次電子 / 背散射電子探測器 (TTLS-SE/BSE)
選配功能：EDS 能譜分析、EBSD 電子背散射衍射、STEM 透射模式、氣體樣品環(huán)境室
三、主要應(yīng)用領(lǐng)域
材料科學：納米材料、二維材料、金屬合金、陶瓷、高分子的形貌與結(jié)構(gòu)分析。
半導體 / 微電子：芯片、光刻膠、MEMS、封裝的缺陷檢測與失效分析。
生命科學：生物組織、細胞、病毒、生物大分子的高分辨形貌觀察。
地質(zhì)與環(huán)境：礦物、氣溶膠、微塑料的微區(qū)表征。
汽車 / 航空：復(fù)合材料、催化劑、涂層的質(zhì)量控制與研發(fā)。
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