電子光學(xué)系統(tǒng)

真空系統(tǒng)

信號(hào)探測(cè)與成像系統(tǒng)

樣品室與樣品臺(tái)

基本操作流程

一、核心分類：冷場(chǎng)發(fā)射 / 熱場(chǎng)（肖特基）發(fā)射（二手最常見(jiàn)兩類）二手鎢燈絲電鏡  二手場(chǎng)發(fā)射電鏡

1. 冷場(chǎng)發(fā)射（日立 S-4800、S-4300、Regulus8100，二手高分辨主力）

• 電子源：鎢針尖冷場(chǎng)，能量擴(kuò)展 ΔE≈0.2–0.3eV，束斑極小、低壓成像

• 缺點(diǎn)：真空要求，二手機(jī)需定期做針尖閃光；燈絲損耗更快

1. 二次電子 SE 分辨率

• S-4800：1.0 nm @15kV；2.0 nm @1kV

• Regulus8100：0.7 nm @15kV；0.8 nm @1kV（新一代冷場(chǎng)）

• S-4300：1.5 nm @30kV；5.0 nm @1kV（老款冷場(chǎng)）

2. 加速電壓：0.5–30kV，0.1kV 精細(xì)步進(jìn)

3. 放大倍率：20× ~ 80 萬(wàn)–500 萬(wàn)倍

4. 探針束流：1pA ~ 2nA（束流偏小，適合形貌，做 EDS 定量偏弱）

5. 真空指標(biāo)（二手驗(yàn)收關(guān)鍵）

• 電子槍腔真空：＜1×10?? Pa

• 樣品室高真空：＜1×10?? Pa

6. 樣品臺(tái)（通用 5 軸優(yōu)中心）

   X:0–100mm / Y:0–50mm / Z:5–35mm；傾斜 - 5°~+60°，360° 旋轉(zhuǎn)

2. 熱場(chǎng)肖特基發(fā)射（日立 SU 系列、蔡司 SUPRA、賽默飛 Verios，商用二手最多）

• ZrO/W 肖特基，ΔE≈0.7–1eV，束流大、穩(wěn)定性好、維護(hù)簡(jiǎn)單，適合 EDS/EBSD 分析

• 低壓分辨率弱于冷場(chǎng)，但大束流下分辨率衰減小

（1）日立 SU3800/SU3900SE（流通量最大二手熱場(chǎng)）

• SE 分辨率：0.9nm@30kV；2.5nm@1kV，減速模式 1.6nm@1kVHitachi Hi...

• 加速電壓：0.5–30kV，減速著陸電壓 0.1–2kV

• 最大束流：150nA（EDS、EBSD 定量）

• 倍率：5× ~ 60 萬(wàn)倍，大屏顯示最高 100 萬(wàn)倍

• 可選低真空 VP 模式（10–300Pa，直接測(cè)絕緣樣品）

（2）蔡司 SUPRA40VP（Gemini 鏡筒，高分子 / 半導(dǎo)體二手常用）

• 分辨率：1.0nm@20kV；2.1nm@1kV；5nm@0.2kV；VP 模式 2nm@30kV

• 加速電壓：0.1–30kV

• 探針電流：4pA ~ 10–20nA

• 超大樣品倉(cāng) φ330×270mm；5 軸臺(tái) X/Y=130mm，傾斜 - 3°~70°，360° 連續(xù)旋轉(zhuǎn)

（3）蔡司 1540（老款經(jīng)典二手）

• 分辨率：2nm@15kV；3nm@1kV

• 高壓：20V–30kV；束流 5pA–20nA

（4）賽默飛 Quanta 400FEG（環(huán)境掃描 ESEM 二手）

• 分辨率：2nm@30kV 高真空；3.5nm@3kV 低真空

• 支持高真空 / 低真空 / 環(huán)境真空三模式，含水生物、多孔樣品免噴金

• 標(biāo)配 STEM 模式，STEM 分辨率 1.5nm@30kV